Jay의 속성 강의 제 1화 (3부) - 램 오버클럭 한 큐에 끝내기

3부 세부 램 타이밍 세팅

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오늘 3부에서는 램의 세부 타이밍 세팅

방법에 대하여 알아보겠습니다.

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그전에 램에서 중요한 타이밍 몇 가지

항목들에 관하여 설명을 먼저 하고

넘어가겠습니다.

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속성 강의 1부에서 소개해드린 CPU-Z의 Memory 탭에 나와있는 램의 세부 타이밍들입니다.

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여기서

CL, tRCD, tRP, tRAS, tRFC, CR

이 6가지 항목들에 관하여 설명드릴까 합니다.

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최대한 간단하고 이해하기 쉽도록 한번

설명해 보겠습니다.

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먼저 메모리는 아래 와 같이

행(Column)과 열(Row)의

Cell들로 이루어져 있습니다.

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또한 메모리는 단순하게 CPU의 명령에 의해

데이터 읽기 쓰기를 반복합니다.

CPU없이 메모리 혼자서는 아무것도 할 수 없습니다.

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혼자서 아무것도 할 수 없는 메모리는

CPU 다이 사진에 포함되어있는

Memory Controller에 의해 동작합니다.

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자 그럼 CPU가 메모리에 명령을 합니다.

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00행 00열의 데이터 읽어와!!!!!!

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자 그럼 여기서부터 한 단계 한 단계 세부 타이밍

설명 들어갑니다.

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Command Rate (CR)

Command Rate는

MC(memory controller)가 내린 명령이 메모리에

도달하는 데까지 걸리는 시간입니다.

당연히 낮을수록 성능이 향상됩니다.

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위의 CPU-Z 사진을 보시면

CR 값은 2라고 적혀있습니다.

즉 MC로부터 떨어진 명령이 메모리에 도달하려면

메모리의 클럭이 2번 튀어야 합니다.

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예를 들어 100Hz의 클럭을 가진 메모리가 있다고 가정하면

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MC로부터 떨어진 명령이 메모리에 도달하려면

총 2사이클이 걸립니다.

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1초에 100번 튀는 클럭이 2번 튀어야 하니

1 : 100 = x : 2

100x = 2

x = 0.02

명령이 메모리에 도달하는 시간은 0.02 초가 걸립니다.

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Row Address Strobe Time (tRAS)

tRAS는 특정 메모리 셀에 접근하려면

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그 셀 이 있는 행(Column)은 반드시

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활성화된 상태로 유지되어야 합니다.

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MC가 메모리 셀에 접근하기 전

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그 접근하고자 하는 셀의 행(Column)이

활성화된 상태를 유지해야 하는

최소한의 시간을 뜻합니다.

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RAS Percharge Time (tRP)

tRP는 액세스하라고 명령이 내려진 후

그 명령을 수행하기 위해 필요한

준비를 하는데 걸리는 소요 시간입니다.

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즉 바로 위에서 설명드린 tRAS 값을 주기로

행 (Column) 이 활성화된다고 했는데

그 활성화 주기 사이의 타이밍을 의미합니다.

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이 값 또한 낮을수록 성능이 좋습니다.

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Row Address to

Column Address Delay Time (tRCD)

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tRCD MC가 메모리의 셀을 액세스하기 위해선

먼저 행(Column)의 주소를 찾아가고

그다음 열(Row)의 주소를 찾아서 셀에 접근합니다.

​

tRCD는 이 열(Row)의 주소를 찾는데

필요한 시간을 말합니다.

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Column Access Strobe Latency (CL)

CL 은 MC에서 명령이 떨어진 후

읽어올 데이터를 준비하는데 걸리는 시간이다.

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메모리 타이밍 중 성능 향상에 있어서

가장 중요한 타이밍 값이다.

​

당연히 낮을수록 좋다!!!!

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어휴 각 타이밍 설명만 드렸는데도

벌써 분량이.....

​

실제로 타이밍 값을 세팅하는 방법은

다음 부에서 설명드리겠습니다.

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길고 어려운 글 읽어주셔서 감사합니다.

​

질문사항 있으시면 언제든지

댓글로 남겨주세요~

​

​

그럼 다음 시간에 세부 램 타이밍 세팅으로

돌아오겠습니다.

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